### Вопросы для самоконтроля

1. Свойства полупроводниковых материалов используемых в электронике.
2. Электропроводность полупроводников.
3. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике.
4. Электронно-дырочный переход. Формирование перехода. ВАХ р-n-перехода.
5. Свойства р-n перехода при прямом включении.
6. Свойства р-n перехода при обратном включении.
7. Типы и свойства полупроводниковых диодов.
8. Биполярные транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
9. Статические характеристики биполярных транзисторов.
10. Принцип действия биполярного транзистора.
11. Дифференциальные Н-параметры биполярного транзистора.
12. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
13. Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
14. Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
15. Статические характеристики полевого транзистора.
16. Параметры полевого транзистора.
17. Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
18. Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
19. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
20. Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
21. Усилительные свойства биполярных и полевых транзисторов.
22. Частотные свойства биполярных и полевых транзисторов.
23. Шумовые свойства биполярных и полевых транзисторов.
24. Цифровые ключи на биполярных и полевых транзисторах.
25. Аналоговые ключи на транзисторах.
26. Тиристоры. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
27. Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
28. Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
29. Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
30. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
31. Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
32. Структурные схемы и поколения ОУ.
33. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
34. Применение генераторов тока в ОУ.
35. Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
36. Обобщенная макромодель применения ОУ.
37. Инвертирующий масштабный усилитель на ОУ.
38. Неинвертирующий масштабный усилитель на ОУ.
39. Вычитатель на основе ОУ.
40. Сумматор на основе ОУ.
41. Электронные регуляторы на полупроводниковых приборах.
42. Аналоговые ключи на полупроводниковых приборах.
43. Фильтры нижних и верхних частот на ОУ.
44. Частотно-селективные фильтры на ОУ.
45. Режекторные фильтры на ОУ.
46. Автогенераторы на интегральных микросхемах.
47. Основы алгебры логики.
48. Характеристики и параметры цифровых устройств.
49. Основные логические операции и элементы.
50. Семейства ЦИМС.
51. Базовые элемент семейства ДТЛ. Схема. Принцип действия. Таблица истинности. Основные характеристики и параметры.
52. Базовые элемент семейства ТТЛ. Схема. Принцип действия. Таблица истинности. Основные характеристики и параметры.
53. Базовый элемент семейства ТТЛШ. Схема. Принцип действия. Таблица истинности. Основные характеристики и параметры.
54. Базовый элемент семейства ЭСЛ. Схема. Принцип действия. Таблица истинности. Основные характеристики и параметры.
55. Базовый элемент семейства МДП. Схема. Принцип действия. Таблица истинности. Основные характеристики и параметры.
56. Базовый элемент семейства КМДП. Схема. Принцип действия. Таблица истинности. Основные характеристики и параметры.
57. Базовый элемент семейства ИИЛ. Схема. Принцип действия. Таблица истинности. Основные характеристики и параметры.
58. Триггеры на основе элементов И-НЕ.
59. Триггеры на основе элементов ИЛИ-НЕ.
60. Большие и сверхбольшие интегральные схемы.
61. Поколения микропроцессоров.
62. Структуры микропроцессоров.
63. Структура микроЭВМ.
64. Оперативные запоминающие устройства.
65. Постоянные запоминающие устройства.
66. Репрограммируемые постоянные запоминающие устройства.
67. Цифроаналоговые преобразователи.
68. Аналого-цифровые преобразователи.
69. Цифровые и аналоговые мультиплексоры.
70. Матричные СБИС.

Вопросы по разделу “Цифровые элементы, узлы и устройства”

1. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
   ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
   характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
   какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
   характеристики.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
   КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
   характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
   транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
   Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
4. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
   транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
5. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
6. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
7. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
   выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
8. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
   транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
9. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
   транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
   Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
10. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

Вопросы по разделу “Аналоговые электронные узлы и устройства”

1. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
   транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
   Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
2. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
   транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
   транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
4. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
   транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
5. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
   транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
6. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
   индуцированным каналом p-типа.Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
7. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
   индуцированным каналом n-типа.Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
8. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа.Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
9. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
   встроенным каналом n-типа.Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
10. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
    транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
    Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.